无须高温烧结，无氧化物生成，金属线路附着性佳 表面平整度高<0.3μm。 线路精准度高，误差值低于+/- 1% 对位置精准度高 低温工艺，降低高温对材料的破坏 信赖性特性佳 镀层材料稳定度高

1）铝粉直接氮化法 ALN＋N2→2ALN将铝粉放入通有氮气与氨气的反应的反应炉中加热到600℃开始反应。我们就能合成大量纯度较高的ALN粉，目前有这种方式的大规模生产。但是这种方法一般难以得到颗粒微细、粒度均匀的氮化铝粉末，通常需要后处理。还有AL颗粒表面氮化后形成ALN层会阻碍氮气向颗粒的中心的扩散，因此采用这种方法转化率是一个重要的问题。 2）氧化铝的碳热还原法 Al203＋3C＋N2→2AlN＋3CO这种方法目前运用在工业生产中运用最为广泛，对其研究进行的比较深入。 在该法中制备氮化铝粉体中常加入氧化钙、氟化钙、氧化钇等作为催化剂，其中加氟化钙更有效的降低活化能，提高反应速率。这种制备的氮化铝粉末纯度高，成形和烧结性能好，但合成温度高反应时间长，粉末粒度较大。 这边需要说明下，如果有懂得金丝键合工艺的小伙伴就比较清楚，表面较为粗糙的有颗粒状明显的氮化铝，如果使用这类的氮化铝溅射薄膜金属，打线时是不太容易键合上的，特别是球焊工艺，很容易出现脱焊状况。

陶瓷基板的成型主要有压模、干压和流延成型3种方法。 流延成型类似于摊鸡蛋饼，控制刮刀与基带的间隙就能控制厚度，可以薄至10um以下，厚至1mm以上我们的陶瓷电路基板都是采用的这种方法； 干压法类似于金属粉末冶金放入模具中压铸成型，适合大块件； 压模法就是注塑，可以做成形状稍复杂的一些结构，如陶瓷插芯采用注塑成型。

(1)机械性能。机械强度，可用作支撑构件;良好的加工性能和高尺寸精度;表面光滑，无微裂纹、弯曲等。 (2)热性质。导热系数大，热膨胀系数与硅、等芯片材料匹配，耐热性好。 (3)电气特性。低介电常数、低介电损耗、高绝缘电阻和绝缘损伤，在高温高湿条件下性能稳定、可靠性高。 (4)其他属性。化学稳定性好，无吸湿性;耐油和耐化学性;无毒、无污染、射线排放量小;晶体结构稳定，在使用温度范围内不易改变。原材料丰富。

一般来说，发光二极管的发光效率和使用寿命会随着结温的增加而降低。当结温达到125时，发光二极管甚至会失效。为了使发光二极管的结温保持在较低的温度，需要采用高导热低热阻的氮化铝陶瓷基板材料和合理的封装工艺来降低发光二极管的整体封装热阻。 目前，常用的基底材料包括硅、金属及金属合金材料、陶瓷及复合材料等。它们的热膨胀系数和热导率如下表所示。其中硅材料成本高;金属和金属合金材料的固有导电性和热膨胀系数与芯片材料不匹配;陶瓷材料难以加工等缺点，均难以同时满足大功率基板的各种性能要求。 随着功率发光二极管封装技术的发展，散热基板主要有环氧覆铜板、金属基覆铜板、金属基复合基板、陶瓷覆铜板等。 环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。它起三个作用：支撑、传导和绝缘。其主要特点是：低成本、高吸湿性、低密度、易加工、易于实现精细图形电路、适合大规模生产等。然而，由于FR-4的基材是环氧树脂，有机材料导热系数低，耐高温性能差，因此不能满足高密度、大功率发光二极管封装的要求。通常，FR-4仅用于低功率发光二极管封装。 金属基覆铜基板是继FR-4之后的一种新型基板。它是由高导热系数的金属和基体通过导热粘结材料直接粘结铜箔电路和聚合物绝缘层制成。它的热导率约为1.12瓦/米克，比FR-4有很大提高。由于其优异的散热性能，它已成为目前大功率发光二极管散热基板市场上应用最广泛的产品。然而，它也有其固有的缺点：聚合物绝缘层的热导率低，只有0.3w/m.k，这导致热量不能从芯片直接传递到金属基底。金属铜和铝具有大的热膨胀系数，这可能导致严重的热失配问题。

氮化铝（AlN）为六方晶型，纯AlN呈蓝白色，通常为灰色或灰白色。作为一种综合性能优良的新型陶瓷材料，氮化铝陶瓷具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件封装的理想材料。 氮化铝基板：采用流延成型工艺，生产的产品长宽可达7.5"，可生产0.1mm超薄基板，特殊规格产品或结构件可定制。

近年来，国内外陶瓷材料的研究及开发应用竞争激烈，各有千秋。各汽车制造商为保证所在领域的市场以及地位，都在汽车大灯上面下足了功夫，以保证自家的竞争能力。实现该目标一半将依靠设计外观改进，包括从透镜、外壳的形状等方面。另一半则依靠灯具种类的更替。氙气灯更换为LED大灯，由于氮化陶瓷基板是汽车LED大灯的核心的材料，故汽车大灯将成为验证氮化铝陶瓷基板的先行者。